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De 4 H-N Production Grade Dummy da categoria bolacha 8inch Dia200mm da carcaça sic
  • De 4 H-N Production Grade Dummy da categoria bolacha 8inch Dia200mm da carcaça sic
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  • De 4 H-N Production Grade Dummy da categoria bolacha 8inch Dia200mm da carcaça sic

De 4 H-N Production Grade Dummy da categoria bolacha 8inch Dia200mm da carcaça sic

Lugar de origem China
Marca zmkj
Certificação rohs
Número do modelo 4h-n
Detalhes do produto
Material:
sic de cristal
indústria:
bolacha de semicondutor
aplicação:
semicondutor, conduzido, dispositivo, eletrônica de poder, 5G
Cor:
Azul, verde, branco
Tipo:
4h-n
Categoria:
Produção/pesquisa/categoria do manequim
Espessura:
500um
Superfície:
DSP
Realçar: 

bolacha da carcaça de 200mm sic

,

Do manequim da categoria bolachas sic

,

A produção classifica sic a bolacha da carcaça

Descrição do produto

de 8inch dia200mm 4 H-N Production da categoria do manequim da categoria bolachas sic

 

Da produção da categoria do MANEQUIM da categoria carcaças sic, carcaças do carboneto de silicone para um dispositivo de semicondutor,

 

Áreas de aplicação

 

1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky,

 

  JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET

 

2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)

 

Advantagement

• Baixa má combinação da estrutura
• Condutibilidade térmica alta
• Consumo da baixa potência
• Características transientes excelentes
• Diferença de faixa alta

 

 

Carborundum sic de cristal da bolacha da carcaça do carboneto de silicone

PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE

 
Nome do produto: Carcaça de cristal do carboneto de silicone (sic)
Descrição do produto: 2-6inch
Parâmetros técnicos:
Estrutura de pilha Sextavado
Entrelace constante = uns 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioridades ABCACB (6H)
Método do crescimento MOCVD
Sentido Linha central de crescimento ou (° 0001) 3,5 parcial
Polonês Lustro da superfície do si
Bandgap eV 2,93 (indireto)
Tipo da condutibilidade N ou seimi, pureza alta
Resistividade 0,076 ohm-cm
Permitividade e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Condutibilidade térmica @ 300K 5 com o cm. K
Dureza 9,2 Mohs
Especificações: 6H N-tipo N-tipo de 4H queisola dia2 “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 ' x1mmt, lance de 10x10mm, de 10x5mm o único ou o lance dobro, Ra <10a>
Empacotamento padrão: saco 1000 quarto desinfetado, 100 limpo ou único empacotamento da caixa

 

2. as carcaças fazem sob medida do padrão

 

     

especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro 8inch (sic)

Categoria   Categoria da produção Categoria da pesquisa Categoria do manequim
Diâmetro 200,0 mm±0.5 milímetro
Espessura a espessura 500 μm±25μm (ou 1000um igualmente pode ser produto customzied)
Orientação da bolacha Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N
Densidade de Micropipe   cm2 ≤2 ≤10cm-2 cm2 ≤50
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
   
   
Plano preliminar e comprimento {1-100} ±5.0°, entalhe
Comprimento liso secundário  nenhuns
Orientação lisa secundária Nenhum
Exclusão da borda 3 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤25μm/≤30μm//≤15μm/≤45μm/≤50μm//   ≤20μm/≤65μm/≤70μm
Aspereza Ra≤5 polonês nanômetro, CMP Ra≤0.5 nanômetro
Quebras pela luz da alta intensidade Nenhum 1 reservado, ≤2 milímetro N/A
Encantar placas pela luz da alta intensidade Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤3%
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade Nenhum Área cumulativa ≤10% Área cumulativa ≤30%
Riscos pela luz da alta intensidade 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer
microplaqueta da borda Nenhum 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um 5 reservados, ≤1 milímetro cada um
Contaminação pela luz da alta intensidade Nenhum

Sic bolacha & lingotes 2-6inch e o outro tamanho personalizado   igualmente pode ser fornecido.

 

 

3.Pictures de produtos da entrega antes

De 4 H-N Production Grade Dummy da categoria bolacha 8inch Dia200mm da carcaça sic 0

De 4 H-N Production Grade Dummy da categoria bolacha 8inch Dia200mm da carcaça sic 1

 

 

FAQ

Q: Que são seus produtos principais?

: bolachas de semicondutor e lente ótica, espelhos, janelas, filtros, prismas

Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?

: No prazo de entrega geral é aproximadamente um mês para o estoque produzido feito sob encomenda de optics.except uns ou algum sistema ótico especial.

Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?

: Nós podemos fornecer amostras grátis se nós temos os sistemas óticos conservados em estoque como seu pedido, quando as amostras produzidas feitas sob encomenda não estiverem livres.

Q: Que é seu MOQ?

MOQ é 10pcs para a maioria da bolacha ou da lente, quando MOQ poderia ser somente uma parte se você precisa um elemento na dimensão grande.

Q: Que é seus termos de pagamento?

T/T, L/C, VISTO, Paypal, Alipay ou negociação.

 

 

 

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